工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制备方法：热剥离还原 厚度（nm）：≤3 BET比表面积（平方米/克）：~ 600 电阻率（Ω∙cm）：0.30

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 纯度：99%

单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide (H Method) 制备方法：改良的H法 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 单层比：99% 纯度：99% 堆积密度：0.44g/cm3 体积密度：为0.26g/cm3

氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide (S Method) 制备方法：斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面积（SSA）5-10平方米/克 单层比：＞90% 氧含量:~35 wt% 堆积密度：0.013g/cm3 体积密度：0.008g/cm3 XPS评估结果（元素重量比） C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide (S Method) 制备方法：斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面积（SSA）5-10平方米/克 单层比：＞90% 氧含量:~35 wt% 堆积密度：0.013g/cm3 体积密度：0.008g/cm3 XPS评估结果（元素重量比） C1s: 65.71% N1S: 0.5% O1s: 33.

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique. Growth technique emphasizes on minimizing the defect density