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硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on Si 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯 2）石墨烯从铜转移到硅衬底
硅基底石墨烯（1*1'' 单层） Graphene on Si 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯 2）石墨烯从铜转移到硅衬底
二氧化硅基底石墨烯（1*1cm单层） Graphene on SiO2 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯 2）石墨烯从铜转移到硅衬底
二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 单层） Graphene on SiO2 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯 2）石墨烯从铜转移到硅衬底
形状：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 层数：单层 晶粒：单晶/多晶，50~300um
形状：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 层数：单层 晶粒：单晶/多晶，50~300um
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