SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼异质结 石墨烯/h-BN薄膜的性质: 单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm(p掺杂)SiO2/Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 8片装 每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的覆盖率约为98% 薄膜是连续的,有小孔和有机残留物 高结晶质量 石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有少量多层(双层小于5%)
CVD石墨烯CVD六方氮化硼异质结 石墨烯/h-BN薄膜的性质: 单层h-BN薄膜上的单层石墨烯薄膜转移到285nm(p掺杂)SiO2/Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 4片装 每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的覆盖率约为98% 薄膜是连续的,有小孔和有机残留物 高结晶质量 石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有少量多层(双层小于5%) 薄层电阻:430-800Ω/平方