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二维材料

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CVD转移生长MX2单分子膜

Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates (please define the substrate ty

更新时间：2024-06-03

产品价格：7579.65

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CVD缺陷生长二维层

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

更新时间：2024-06-03

产品价格：8900

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基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜

基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜将两层单层CVD石墨烯膜转移到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制该产品的石墨烯覆盖率约为98％石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠

更新时间：2024-06-03

产品价格：7140.25

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德国2DNext大面积机械剥离2L/3L材料

德国2D Next主要提供机械剥离的超大尺寸二维材料，可以提供在众多基底上的转移技术，如二氧化硅，蓝宝石，CVD金刚石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS2，WSe2等，提供三种尺寸的机械剥离2L/3L材料，分别为50um,75um,100um

更新时间：2024-06-03

产品价格：13520

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CVD GaSe

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

更新时间：2024-06-03

产品价格：6481.15

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定制单层二硫化钼-带电极

1．将单层硫化钼转移至衬底（衬底可根据客户需求选定）$n2．边长15um （三角形）片内层数均匀$n3．衬底上转移3个（数量可定制）带电极的单层硫化钼样品$n4．电极间距：~5um

更新时间：2024-06-03

产品价格：7200

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