13651969369
晶体尺寸：10毫米 电学性能：半导体，拓扑绝缘体，热电材料 晶体结构：单斜晶结构 晶胞参数：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
晶体尺寸：10毫米 电学性能：金属，电荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K） 晶体结构：单斜晶 晶胞参数：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C = 0.934nm，α=γ= 90°，β= 110.71 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995% 表征方法：XRD、拉曼、EDX
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal Sb2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
电学性能：半金属，电荷密度波（CDW，~ 63K），超导体（TC ~ 2K） 晶体结构：单斜磷 晶胞参数：a = 0.5864nm，B = 0.3918nm，C = 1.009nm，α=γ= 90°，γ= 98 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%晶体尺寸：8毫米 表征方法：XRD、拉曼、EDX
二碲化钼晶体 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二碲化钼晶体 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride) 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.353 nm, c = 1.396 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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