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二硒化铼晶体 ReSe2(Rhenium Selenide) 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：n型半导体 晶体结构：三斜晶系 晶胞参数：a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化锡晶体 SnSe2 (Tin Selenide) 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钽晶体 2H-TaSe2 (Tantalum Selenide) 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：Metal, Charge density waves (CDW) system at ~120K, Superconductor (Tc ~0.1K) 金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.342 nm, c = 1.2
硒化钛 1T-TiSe2(Titanium Selenide) 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.354 nm, c = 0.601 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钒晶体 VSe2 (Vanadium Diselenide) 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：金属，电荷密度波（CDW） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硒化钨晶体 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：半导体，P型 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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